Физика Низких Температур: Том 23, Выпуск 5-6 (Май 1997), c. 619-623    ( к оглавлению , назад )

Кинетика pоста кpисталла 4He с малой концентрацией пpимеси 3He

В. Л. Цымбаленко

Российский научный центр "Курчатовский институт", Институт сверхпроводимости и физики твердого тела, Россия, 123182 Москва,
E-mail: vlt@isssph.kiae.ru

( Статья поступила в редакцию 2 ноября 1996 г., после переработки 12 февраля 1997 г )

Аннотация

Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью 3He (x=8*10 -5, 2*10 -4). В интервале температур 1,2-1,4K примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси.

PACS:
67.80.Mg - Defects, impurities, and diffusion