Физика Низких Температур: Том 27, Выпуск 9-10 (Сентябрь 2001), c. 1019-1030    ( к оглавлению , назад )

Соизмеримые вихревые решетки в тонких пленках V и сверхпроводящих сверхрешетках V/Si

Н. Я. Фогель, Е. И. Бухштаб

Department of Physics, Solid State Institute, Technion, Haifa 32100, Israel
E-mail: nfogel@techunix.technion.ac.il
fogel@ilt.kharkov.ua

В. Г. Черкасова, О. И. Юзефович, М. Ю. Михайлов

Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины, пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

А. Н. Стеценко

Харьковский государственный политехнический университет, ул. Фрунзе, 21, г. Харьков, 61002, Украина

Статья поступила в pедакцию 21 марта 2001 г.

Аннотация

Исследованы особенности шубниковской фазы в тонких пленках сверхпроводников II рода в случае, когда магнитное поле параллельно поверхности пленки. Измерения немонотонных зависимостей критического тока Ic от магнитного поля H|| позволяют выявить соизмеримые вихревые решетки с разным количеством вихревых цепочек в пленке. Установлено, что на однородных пленках наблюдение эффекта соизмеримости параметра вихревой решетки с толщиной пленки возможно только при идеальном состоянии границ пленки, допускающем образование бесконечной решетки вихрей и их изображений. Нарушение гладкости и плоскопараллельности двух поверхностей пленки приводит к исчезновению осцилляций Ic и резкому уменьшению критического тока. На пленках впервые обнаружен lock-in переход, обусловленный влиянием поверхностного барьера. Установлено, что в тонкопленочных слоистых образцах одновременно проявляется эффект соизмеримости параметра вихревой решетки с периодом сверхструктуры и с полной толщиной образца. Рассмотрена фазовая диаграмма Н-Т однородной пленки в параллельном магнитном поле.

PACS:
74.60.Ec -
74.60.Ge -
74.76.- -
74.80.Dm -