Физика Низких Температур: Том 27, Выпуск 9-10 (Сентябрь 2001), c. 1128-1137    ( к оглавлению , назад )

Релаксационные процессы в аморфных пленках моноатомных металлов

В. М. Кузьменко, Б. Г. Лазарев

Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", ул. Академическая, 1, г. Харьков, 61108, Украина
E-mail: marbor@rocket.kharkov.ua

Статья поступила в pедакцию 23 июля 2001 г.

Аннотация

Исследована релаксация электросопротивления в аморфных пленках Bi, Yb, Be, Mn при низких температурах. Показано, что этот процесс при изотермической выдержке является, как правило, простым экспоненциальным процессом с единственным характерным временем релаксации. В аморфных плeнках металл-водород, по-видимому, имеет место подбарьерное туннелирование атомов водорода. С этим мы связываем, в частности, задержку появления сверхпроводимости при T=4,2 K после завершения конденсации аморфных плeнок Be-H.

PACS:
61.43.Dq - Amorphous semiconductors, metals, and alloys
64.70.Pf - Glass transitions
74.80.Bj -