Low Temperature Physics: 29, 382 (2003); https://doi.org/10.1063/1.1542501 (4 pages)
Физика Низких Температур: Том 29, Выпуск 5 (Май 2003), c. 514-518    ( к оглавлению , назад )

О фазовой диаграмме развития неустойчивости массивной заряженной поверхности жидкого гелия

В. Шикин

Институт физики твердого тела РАН, п. Черноголовка Московской обл., 142432, Россия
E-mail: shikin@issp.ac.ru

Статья поступила в редакцию 5 марта 2003 г.

Аннотация

Существующая трактовка развития неустойчивости массивной заряженной поверхности гелия нуждается в определенной коррекции, сближающей данное явление с известными процессами спинодального и бинодального распадов в теории фазовых превращений первого рода. Обсуждаются особенности развития неустойчивости заряженной поверхности гелия, обладающие признаками спинодального (бинодального) распадов, и построена качественная фазовая диаграмма для таких переходов на плоскости с координатами поверхностная плотность электронов -электрическое поле над заряженной 2D электронами плоскостью.

PACS:
67.40.Jg - Ions in liquid 4He