Low Temperature Physics: 29, 401 (2003); https://doi.org/10.1063/1.1542504 (13 pages)
Физика Низких Температур: Том 29, Выпуск 5 (Май 2003), c. 539-555    ( к оглавлению , назад )

Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона

А.Г. Белов, Е.И. Тарасова, Е.М. Юртаева

Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
E-mail: tarasova@ilt.kharkov.ua

Статья поступила в редакцию 17 марта 2003 г.

Аннотация

Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучения кристаллического ксенона с Emax = 2 эВ (полоса А) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнение параметров излучения этой полосы с аналогичными параметрами излучения свободных экситонов, локализованных дырок Xe2+* и примесных центров Хе2О*, полосы которых регистрировались параллельно. Проанализированы спектры фотовозбуждения полосы А и кривые затухания люминесценции во времени. Излучение с аналогичной структурой с Emax = 2,05 эВ обнаружено также в бинарных кристаллах Ar+Xe при высоких (~10%) концентрациях ксенона. Cделан вывод, что наблюдаемое излучение обусловлено собственными возбужденными состояниями молекулярного типа, локализованными в объеме кристалла и расположенными в зоне проводимости в области энергий вблизи 10 эВ.

PACS:
78.55.Hx - Other solid inorganic materials
78.60.Hk - Cathodoluminescence, ionoluminescence
71.35.Cc - Intrinsic properties of excitons; optical absorption spectra