Low Temperature Physics: 30, 867 (2004); https://doi.org/10.1063/1.1819865 (4 pages)
Физика Низких Температур: Том 30, Выпуск 11 (Ноябрь 2004), c. 1157-1162    ( к оглавлению , назад )

Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix в области перехода металл-диэлектрик

Ю.Г. Арапов1, В.Н. Неверов1,2, Г.И. Харус1, Н.Г. Шелушинина1, М.В. Якунин1, О.А. Кузнецов3, Л. Пономаренко4, А. де Виссер4

1Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, г. Екатеринбург, 620219, Россия

2Уральский государственный университет, пр. Ленина, 51, г. Екатеринбург, 620083, Россия
E-mail: neverov@imp.uran.ru

3НИФТИ, НГУ, г. Нижний Новгород, 603600, Россия

4Институт Ван дер Ваальса-Зеемана Амстердамского университета Валкниерстраат 65, 1018 XE Амстердам, Нидерланды

Статья поступила в редакцию 11 мая 2004 г.

Аннотация

В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge1-xSix) с проводимостью se2/h при низких температурах (T ≈ 1,5 К) при понижении температуры наблюдается переход от диэлектрического (ds/dT > 0) к "металлическому" (ds/dT < 0) поведению в качественном соответствии с предсказаниями теории Финкельнштейна. В перпендикулярном к плоскости 2D-слоя магнитном поле В наблюдается положительное магнитосопротивление (ПМС), зависящее лишь от отношения B/T. Мы связываем эффект ПМС с подавлением триплетного канала фермижидкостного электрон-электронного взаимодействия магнитным полем вследствие сильного зеемановского расщепления уровней энергии дырок.

PACS:
71.30.+h - Metal-insulator transitions and other electronic transitions
73.21.Ac - Multilayers