Low Temperature Physics: 30, 897 (2004); https://doi.org/10.1063/1.1820020 (7 pages)
Физика Низких Температур: Том 30, Выпуск 11 (Ноябрь 2004), c. 1194-1202    ( к оглавлению , назад )

Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках

В.И. Окулов

Институт физики металлов УрО РАН ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620219, Россия
E-mail: okulov@imp.uran.ru

Статья поступила в редакцию 13 сентября 2004 г.

Аннотация

Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках. Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении энергией Ферми энергии резонансного уровня, концентрационный максимум подвижности, температурная и концентрационная зависимости магнитной восприимчивости локализованных резонансных состояний. Обсуждаются пределы применимости полученных результатов.

PACS:
72.10.Fk - Scattering by point defects, dislocations, surfaces, and other imperfections (including Kondo effect)
72.20.Dp - General theory, scattering mechanisms