Low Temperature Physics: 30, 904 (2004); https://doi.org/10.1063/1.1820021 (4 pages)
Физика Низких Температур: Том 30, Выпуск 11 (Ноябрь 2004), c. 1203-1208    ( к оглавлению , назад )

Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg1-xMnxTe

И.М. Несмелова, В.Н. Рыжков

ФГУП НПО "Государственный институт прикладной оптики", г. Казань, 420075, Россия

М.И. Ибрагимова, В.Ю. Петухов

Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН, Сибирский тракт, 10/7, г. Казань, 420029, Россия
E-mail: eugene@mi.ru

Статья поступила в редакцию 28 мая 2004 г.

Аннотация

Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного твердого раствора Hg1-xMnxTe, альтернативного материалу Hg1-xCdxTe. Изучены процессы рассеяния носителей заряда, оптические, фотоэлектрические и магнитные свойства материала. Получены значения эффективных масс электронов и дырок, энергии ионизации акцепторного уровня и g-фактора носителей заряда в зависимости от содержания теллурида марганца, концентрации электронов и дырок при температурах 300 и 77 К. Показана возможность применения методов радиоспектроскопии для диагностики полумагнитного материала. Методами барьеров Шоттки, диффузией в парах ртути и имплантацией ионов В+ в образцы р-Hg1-xMnxTe получены фотодиодные структуры, характеристики которых близки к значениям при работе в режиме фонового ограничения.

PACS:
72.10.-d - Theory of electronic transport; scattering mechanisms
72.40.+w - Photoconduction and photovoltaic effects
75.50.-y - Studies of specific magnetic materials