Low Temperature Physics: 30, 908 (2004); https://doi.org/10.1063/1.1820022 (4 pages)
Физика Низких Температур: Том 30, Выпуск 11 (Ноябрь 2004), c. 1209-1213    ( к оглавлению , назад )

Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga)

Б.А. Акимов1, В.В. Прядун1, Л.И. Рябова2, Е.И. Слынько3, Д.Р. Хохлов1, В.И. Штанов2

1Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва, 119992, Россия
E-mail: khokhlov@mig.phys.msu.ru

2Химический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва, 119992, Россия

3Черновицкое отделение института проблем полупроводникового материаловедения НАН Украины, ул. И. Вильде, 5, г. Черновцы, 274001, Украина

Статья поступила в редакцию 25 мая 2004 г.

Аннотация

Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb1-xGexTe(Ga) (0 ≤ x ≤ 0,095) исследован в диапазоне частот от 102 до 106 Гц в интервале температур 4,2-300 К. На температурных зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb1-xGexTe(Ga) наблюдалось два типа особенностей. Это ярко выраженный пик при температуре Т = Тp, обусловленный диэлектрической аномалией при сегнетоэлектрическом фазовом переходе, а также характеризующееся сильной частотной зависимостью возрастание емкости в области температур Т < 100 К. Амплитуда низкотемпературного эффекта монотонно уменьшается с ростом частоты f, и при f > 105 Гц эффект практически исчезает. Такое поведение емкости при столь низких частотах можно ассоциировать с процессами перезарядки в примесной подсистеме. Экспериментально определенное значение Тp оказалось существенно выше, чем характерные температуры появления долговременных релаксационных процессов, в частности задержанной фотопроводимости. Следовательно, изменение зарядовых состояний в примесной подсистеме не сопровождается диэлектрическими аномалиями кристаллической решетки в целом, и возможная перестройка решетки имеет локальный характер.

PACS:
71.55.Ht - Other nonmetals
77.80.Bh - Phase transitions and Curie point