Low Temperature Physics: 31, 326 (2005); https://doi.org/10.1063/1.1884436 (5 pages)
Физика Низких Температур: Том 31, Выпуск 3-4 (Март 2005), c. 429-435    ( к оглавлению , назад )

Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины

Ю.Ф. Комник, И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский

Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина 47, г. Харьков, 61103, Украина
E-mail: Andrievskii@ilt.kharkov.ua

Статья поступила в редакцию 1 ноября 2004 г.

Аннотация

Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100-700 Å при низких температурах в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости при слабой локализации электронов. Показано, что время спин-орбитального рассеяния tso существенно меньше времени фазовой релаксации электронов tj (случай сильного спин-орбитального взаимодействия). При этом обнаружена тенденция роста tso при увеличении толщины пленки, что свидетельствует о доминирующей роли поверхностного рассеяния электронов для спин-орбитальных процессов. По-видимому, при поверхностном рассеянии сильная спиновая релаксация связана с градиентом внутреннего кристаллического потенциала вблизи поверхности кристалла, приводящим к снятию вырождения спина и появлению спиновой щели (механизм Рашбы).

PACS:
73.20.Fz - Weak or Anderson localization
72.15.Lh - Relaxation times and mean free paths