Low Temperature Physics: 33, 122 (2007); https://doi.org/10.1063/1.2409647 (6 pages)
Физика Низких Температур: Том 33, Выпуск 2-3 (Февраль 2007), c. 174-181    ( к оглавлению , назад )

Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках

С.Г. Новокшонов

Институт физики металлов, УрО РАН, ГСП-170 ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620219, Россия
E-mail: nov@imp.uran.ru

Статья поступила в редакцию 22 сентября 2006 г.

Аннотация

Исследовано явление слабой локализации в квазидвумерной неупорядоченной многослойной структуре в поперечном магнитном поле. Сделано предположение, что когерентное туннелирование электронов между слоями настолько слабое, что сверхрешеточные минизоны не образуются, а основной вклад в вероятности переходов электронов между слоями вносит их рассеяние в случайном поле примесей. Получены аналитические выражения для интерференционных поправок к продольному сопротивлению системы, содержащей произвольное конечное количество слоев, в случае изолирующих краевых условий. Показано, что рассеяние электронов между слоями оказывает пренебрежимо малое влияние на диффузионный магнитотранспорт, но заметно уменьшает эффект слабой локализации, играя роль дополнительного механизма сбоя фазы. Проанализировано влияние краевых условий на эффект слабой локализации в многослойной структуре в зависимости от количества слоев. Полученные результаты хорошо описывают отрицательное магнитосопротивление в естественных сверхрешетках Nd1-xCexCuO4 выше критической температуры.

PACS: 72.15.Rn Локализационные эффекты (андерсоновская или слабая локализация);
PACS: 72.15.Gd Гальваномагнитные и другие магнитотранспортные эффекты;
PACS: 73.21.Ac Mногослойные структуры;
PACS: 73.21.Cd Сверхрешетки.

Ключевые слова: куперон в многослойной структуре, отрицательное магнитосопротивление, межслоевое рассеяние.