Low Temperature Physics: 33, 156 (2007); https://doi.org/10.1063/1.2409653 (4 pages)
Физика Низких Температур: Том 33, Выпуск 2-3 (Февраль 2007), c. 217-221    ( к оглавлению , назад )

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами

Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, С.М. Подгорных

Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
E-mail: arapov@imp.uran.ru

Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова

Научно-исследовательский физико-технический институт при ННГУ, г. Нижний Новгород, 603600, Россия

Статья поступила в редакцию 22 сентября 2006 г.

Аннотация

В двойной квантовой яме n-InxGa1-xAs/GaAs (x ≈ 0,2 ) температурные зависимости продольного сопротивления rxx (Т) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией электронов вблизи перехода металл-диэлектрик В = 0 имеют "диэлектрический" характер в интервале температур T = 1,8-70 К (kBTt / ħ = 0,2-3,8). Аномальная температурная зависимость sху (В, Т) в области wс t = 1 приводит к ряду особенностей перехода от режима слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия к режиму квантового эффекта Холла в слабых магнитных полях.

PACS: 73.50.Jt Гальваномагнитные и другие магнитотранспортные эффекты (в том числетермомагнитные эффекты);
PACS: 71.30.+h Переходы металл-изолятор и другие электронные переходы.

Ключевые слова: двойные квантовые ямы, магнитотранспортные эффекты, электронные переходы.