Low Temperature Physics: 33, 160 (2007); https://doi.org/10.1063/1.2409654 (5 pages)
Физика Низких Температур: Том 33, Выпуск 2-3 (Февраль 2007), c. 222-227    ( к оглавлению , назад )

Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix

Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина

Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
E-mail: arapov@imp.uran.ru
neverov@imp.uran.ru

Статья поступила в редакцию 9 октября 2006 г.

Аннотация

Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤ 2 Тл при фиксированных температурах 0,2K ≤ T ≤ 4,2 K. Вклад зеемановского расщепления в магнитосопротивление был учтен в электрон-электронном взаимодействии, что позволило получить разумные значения времени релаксации энергии (время сбоя фазы tj ) и его степенную температурную зависимость, предсказанную теорией. Оценены значения параметров этих эффектов: константа взаимодействия Хартри F0s=-0,51, амплитуда фермижидкостного взаимодействия l= 0,40, фактор Ланде g = 12,0.

PACS: 73.20.Fz Слабая или андерсоновская локализация;
PACS: 73.21.Ac Mногослойные структуры;
PACS: 73.40.-c Электронный транспорт в структурах с границами раздела.

Ключевые слова: электрон-электронное взаимодействие, слабая локализация, зеемановское расщепление,