Low Temperature Physics: 33, 280 (2007); https://doi.org/10.1063/1.2719968 (3 pages)
Физика Низких Температур: Том 33, Выпуск 2-3 (Февраль 2007), c. 374-377    ( к оглавлению , назад )

Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9)

О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова

Уральский государственный университет, пр. Ленина, 51, г. Екатеринбург, 620083, Россия
E-mail: olga.kobeleva@usu.ru

Статья поступила в редакцию 7 сентября 2006 г.

Аннотация

Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS3xSe3(1-x) (x = 0,1–0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектри ческой проницаемости исследованных материалов.

PACS: 66.30.Dn Теория диффузионной и ионной проводимости в твердых телах;
PACS: 72.60.+g Смешанная проводимость и смена механизмов проводимости;
PACS: 77.22.-d Диэлектpические свойства твеpдых тел и жидкостей.

Ключевые слова: твердые электролиты, полупроводники, халькогениды, криоэлектроника, сегнетоэлектрики.