Low Temperature Physics: 34, 535 (2008); https://doi.org/10.1063/1.2957005 (3 pages)
Физика Низких Температур: Том 34, Выпуск 7 (Июль 2008), c. 677-680    ( к оглавлению , назад )

Наноконтактный спин-электрический эффект

Р.Н. Гуржи, А.Н. Калиненко, А.И. Копелиович, А.В. Яновский

Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
E-mail: gurzhi@ilt.kharkov.ua

Статья поступила в редакцию 15 января 2008 г.

Аннотация

Предсказан эффект преобразования спинового сигнала в изменение электрического потенциала. Эффект возникает при проникновении спин-поляризованных электронов из немагнитной цепи N в намагниченную магнитную приставку M с зеемановским расщеплением электронного спектра. Благодаря тому, что M имеет повышенную плотность состояний спинов одного из направлений, проникновение спин-поляризованных электронов в M приводит к возникновению двойного электрического слоя на N-M границе и, следовательно, к скачку электрического потенциала между M и N. Предсказанный эффект может быть использован как метод непосредственного детектирования спинового сигнала в немагнитных металлах и полупроводниках, а также для решения ряда задач спинтроники в связи с легкостью управления электрическим полем токами в полупроводниках.

PACS: 72.25.Hg Электрическая инжекция спин-поляризованных носителей;
PACS: 72.25.Mk Перенос спинов через границы разделов;
PACS: 73.40.Sx Структуры мeтaлл-полупроводник-мeтaлл;
PACS: 73.61.Ga II-VI полупроводники.

Ключевые слова: спиновый сигнал, спин-поляризованные электроны, плотность состояний.