Low Temperature Physics: 35, 15 (2009); https://doi.org/10.1063/1.3064872 (6 pages)
Физика Низких Температур: Том 35, Выпуск 1 (Январь 2009), c. 21-28    ( к оглавлению , назад )

Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле

И.В. Рожанский, Н.С. Аверкиев

ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, ул. Политехническая, 26, г. Санкт-Петербург, 194021, Россия
E-mail: igor@quantum.ioffe.ru

Статья поступила в редакцию 23 июля 2008 г.

Аннотация

Рассмотрено влияние спин-орбитального взаимодействия на туннелирование между двумерными электронными слоями. Получено общее выражение для туннельного тока с учетом эффектов Рашбы и Дрессельхауза, а также упругого рассеяния носителей заряда на примесях. Показано, что конкретный вид зависимости туннельной проводимости от электрического напряжения между слоями чрезвычайно чувствителен к соотношению параметров Рашбы и Дрессельхауза. Это позволяет определять параметры спин-орбитального взаимодействия и квантовое время рассеяния непосредственно при измерении туннельной проводимости без внешнего магнитного поля.

PACS: 73.63.Hs Квантовые стенки;
PACS: 73.40.Gk Туннелирование;
PACS: 71.70.Ej Спин-орбитальное взаимодействие, расщепление Зеемана и Штарка, эффектЯна-Теллера.

Ключевые слова: спин-зависимое туннелирование, спин-орбитальное взаимодействие, квантовые ямы.