Low Temperature Physics: 35, 32 (2009); https://doi.org/10.1063/1.3064895 (12 pages)
Физика Низких Температур: Том 35, Выпуск 1 (Январь 2009), c. 44-58    ( к оглавлению , назад )

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла

Ю.Г. Арапов, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин

Институт физики металлов УрО РАН, ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
E-mail: arapov@imp.uran.ru

Статья поступила в редакцию 13 августа 2008 г.

Аннотация

Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температуры и магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон- электронного взаимодействия (ЭЭВ) в диффузионном и баллистическом режимах. Поправки к проводимости от СЛ и ЭЭВ в баллистическом режиме, а также влияние спиновых и осцилляционных эффектов учтены путем перенормировки транспортного времени релаксации импульса электронов, что привело к появлению зависимости друдевской проводимости от температуры. Расчет компонент тензоров проводимости и сопротивления проведен с использованием теоретических значений параметров теории квантовых поправок, определяемых только значениями концентрации и подвижности конкретного образца. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными результатами для 2D-структуры n-InGaAs/GaAs c двойными квантовыми ямами. Показано, что учет только квантовых поправок с теоретическими значениями параметров не позволяет даже качественно описать эксперимент, поэтому необходимо учитывать дополнительные, зависящие от температуры, вклады в друдевскую проводимость.

PACS: 73.20.Fz Слабая или андерсоновская локализация;
PACS: 73.50.Jt Гальваномагнитные и другие магнитотранспортные эффекты (в том числетермомагнитные эффекты);
PACS: 71.30.+h Переходы металл-изолятор и другие электронные переходы.

Ключевые слова: квантовые поправки к проводимости, слабая локализация, электрон-электронное взаимодействие, диффузионный и баллистический режимы.