Low Temperature Physics: 37, 95 (2011); https://doi.org/10.1063/1.3554365 (6 pages)
Физика Низких Температур: Том 37, Выпуск 2 (Февраль 2011), c. 119-126    ( к оглавлению , назад )

Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре

В.А. Николаенко, А.В. Смородин, С.С. Соколов

Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
E-mail: smorodin@ilt.kharkov.ua

Статья поступила в редакцию 3 июня 2010 г.

Аннотация

Проведены экспериментальные исследования подвижности поверхностных электронов в квазиодномерных проводящих каналах над жидким гелием при температурах 1,5–3 К. Установлено, что при T > 2 К подвижность сильно уменьшается относительно значений, соответствующих кинетическому режиму проводимости электронов. Такое поведение подвижности может быть объяснено образованием автолокализованного состояния электрона в плотном гелиевом паре, что сопровождается образованием вокруг электрона макроскопической области с неоднородным распределением плотности газа. Теоретические оценки температуры образования автолокализованного состояния, основанные на анализе условий появления минимума свободной энергии системы, дают значения, близкие к результатам эксперимента.

PACS: 73.20.–r Электронные состояния на поверхностях и границах раздела;
PACS: 73.25.+i Поверхностная проводимость и явления переноса;
PACS: 73.90.+f Другие темы в электронной структуре и электрических свойствах поверхностей, поверхностей раздела тонких пленок и низкоразмерных структур.

Ключевые слова: поверхностные электроны в гелии, подвижность поверхностных электронов, автолокализованное состояние электрона.