Low Temperature Physics: 37, 210 (2011); https://doi.org/10.1063/1.3573664 (10 pages)
Физика Низких Температур: Том 37, Выпуск 3 (Март 2011), c. 269-280    ( к оглавлению , назад )

Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома

Е.П. Скипетров, Н.А. Пичугин

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Ленинские горы, 1, г. Москва, 119992, Россия
E-mail: skip@mig.phys.msu.ru

Е.И. Слынько, В.Е. Слынько

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Вильде, 5, г. Черновцы, 58001, Украина

Статья поступила в редакцию 24 сентября 2010 г.

Аннотация

Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные и осцилляционные свойства сплавов Pb1–xySnxCryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при вариации состава матрицы и концентрации примеси хрома. Показано, что примесные атомы хрома растворяются в решетке в количестве не менее 1 мол.%, а дальнейшее увеличение концентрации хрома приводит к появлению микроскопических областей с повышенным содержанием хрома и включений соединений хрома с теллуром. Обнаружены уменьшение концентрации дырок, p–n-конверсия типа проводимости и стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем хрома при увеличении содержания хрома. Определены начальные скорости изменения концентрации носителей заряда при легировании. В рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и уровня Ферми от концентрации олова и предложена диаграмма перестройки электронной структуры легированных хромом сплавов при изменении состава матрицы.

PACS: 71.20.Nr Полупроводниковые соединения;
PACS: 71.55.–i Уровни дефектов и примесей;
PACS: 72.20.My Гальваномагнитные и другие магнитотранспортные эффекты;
PACS: 75.50.Pp Магнитные полупроводники.

Ключевые слова: примесь хрома, гальваномагнитные эффекты, осцилляции Шубникова-де Гааза, глубокий уровень хрома, электронная структура.