Low Temperature Physics: 37, 220 (2011); https://doi.org/10.1063/1.3573665 (6 pages)
Физика Низких Температур: Том 37, Выпуск 3 (Март 2011), c. 281-288    ( к оглавлению , назад )

Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента

В.И. Окулов, А.Т. Лончаков, Т.Е. Говоркова, К.А. Окулова, С.М. Подгорных

Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620990, Россия
E-mail: okulov@imp.uran.ru

Л.Д. Паранчич, С.Ю. Паранчич

Черновицкий национальный университет, ул. Коцюбинского, 2, г. Черновцы, 58012, Украина

Статья поступила в редакцию 12 июля 2010 г.

Аннотация

В температурной зависимости электронной теплоемкости селенида ртути с примесями железа малой концентрации обнаружен аномальный немонотонный вклад, который объясняется проявлением гибридизированных электронных состояний на донорных примесях. Показано, что наблюдаемый эффект описывается теорией электронной теплоемкости, развитой на основе квантового ферми-жидкостного подхода с учетом локализации и межэлектронного взаимодействия. В результате выполненной количественной интерпретации экспериментальных зависимостей определены значения параметров гибридизированных состояний, согласующиеся с уже известными из других экспериментов. Кроме того, найден новый параметр, характеризующий взаимодействие электронов в гибридизированных состояниях.

PACS: 72.10.Fk Рассеяние точечными дефектами, дислокациями, поверхностями и другими несовершенствами (в том числе эффект Кондо);
PACS: 72.20.Dp Общая теория, механизмы рассеяния;
PACS: 72.80.Ey Полупроводники III–V и II–VI групп.

Ключевые слова: полупроводники, примеси переходных элементов, гибридизированные электронные состояния, электронная теплоемкость.