Low Temperature Physics: 37, 226 (2011); https://doi.org/10.1063/1.3574502 (9 pages)
Физика Низких Температур: Том 37, Выпуск 3 (Март 2011), c. 289-300    ( к оглавлению , назад )

Свойства оксида цинка при низких и средних температурах

Г.В. Лашкарев, В.А. Карпина, В.И. Лазоренко, А.И. Евтушенко, И.И. Штеплюк, В.Д. Храновский

Институт проблем материаловедения НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
E-mail: gvl35@ipms.kiev.ua

Статья поступила в редакцию 24 сентября 2010 г.

Аннотация

Рассмотрены свойства оксида цинка как аналога нитрида галлия в широком диапазоне температур и области его перспективных применений. Отмечены экономические и экологические преимущества, а также радиационная стойкость ZnO по сравнению с нитридами III группы. Предложены способы выращивания пленок и наноструктур с высоким совершенством кристаллической структуры. В частности, реализован магнетронный метод послойного роста пленок, позволяющий достичь их высокого структурного совершенства и значительных толщин, недоступных для некоторых других методов. Показана возможность получения монохроматического УФ излучения при возбуждении пленок коротковолновым излучением и электронами, что дает возможность использовать их в источниках коротковолнового излучения. Продемонстрирована эффективная полевая эмиссия наноструктур и пленок ZnO, открывающая перспективу их применения в устройствах вакуумной микроэлектроники. На основе пленок ZnO, легированных азотом, изготовлен, в частности, фототранзистор, позволяющий увеличить фоточувствительность на два порядка по сравнению с обычными детекторами. Рассмотрены физические основы создания светодиодов разного цвета свечения на основе пленок оксида цинка и его твердых растворов с СdO. Отмечена важность исследований физики и технологии приборов на основе оксида цинка.

PACS: 61.72.U– Допирование и примесная имплантация;
PACS: 81.07.–b Наноматериалы и структуры: синтез и определение характеристик;
PACS: 81.15.Gh Химическое осаждение из газовой фазы;
PACS: 85.60.Dw Фотодиоды; фототранзисторы; фоторезисторы.

Ключевые слова: ZnO, пленки, наноструктуры, полевая эмиссия, фоточувствительность.