Low Temperature Physics: 37, 480 (2011); https://doi.org/10.1063/1.3615524 (5 pages)
Физика Низких Температур: Том 37, Выпуск 6 (Июнь 2011), c. 603-608    ( к оглавлению , назад )

Оптика полупроводников с линейным электронным спектром

Л.А. Фальковский

Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, г. Москва, 119334, Россия
Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, г. Троицк, 142190, Россия
E-mail: falk@itp.ac.ru

Статья поступила в редакцию 13 сентября 2010 г.

Анотація

Рассмотрена частотная дисперсия диэлектрической проницаемости графена и 3D полупроводников с узкой запрещенной зоной в области частот, бóльших, чем частота релаксации носителей, но малых по сравнению с шириной зоны проводимости, в зависимости от температуры и концентрации носителей. Линейность электронного спектра в широкой энергетической области, общая черта этих материалов, приводит к аномально большой величине диэлектрической постоянной 3D полупроводников, а при их легировании к логарифмической сингулярности на пороге поглощения у вещественной части диэлектрической функции. Для графена коэффициент прохождения света в оптической области определяется постоянной тонкой структуры квантовой электродинамики и не зависит от каких-либо свойств самого графена.

PACS: 71.20.Nr Полупроводниковые соединения;
PACS: 78.20.Ci Оптические константы (включая коэффициент преломления, комплексная диэлектрическая постоянная, поглощение, коэффициенты отражения и пропускания, излучаемость);
PACS: 78.20.Bh Теория, модели и численные расчеты.

Ключові слова: графен, 3D полупроводники, линейный электронный спектр