Low Temperature Physics: 39, 35 (2013); https://doi.org/10.1063/1.4775746 (4 pages)
Физика Низких Температур: Том 39, Выпуск 1 (Январь 2013), c. 48-52    ( к оглавлению , назад )

Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

В.В. Вальков1,2, С.В. Аксенов1, Е.А. Уланов2

1Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, г. Красноярск, 660036, Россия
E-mail: vvv@iph.krasn.ru,
asv86@iph.krasn.ru

2Сибирский аэрокосмический университет, г. Красноярск, 660014, Россия

Статья поступила в редакцию 13 сентября 2012 г.

Аннотация

В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в системе.

PACS: 75.76.+j Эффект спинового транспорта;
PACS: 72.25.–b Спин-поляризованный перенос;
PACS: 85.75.–d Магнитоэлектроника, спинтроника, устройства, использующие спин-поляризованный транспорт.

Ключевые слова: эффект Фано, транспортные явления.