Low Temperature Physics: 39, 43 (2013); https://doi.org/10.1063/1.4775751 (7 pages)
Физика Низких Температур: Том 39, Выпуск 1 (Январь 2013), c. 58-65    ( к оглавлению , назад )

Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами

Ю.Г. Арапов1, С.В. Гудина1, В.Н. Неверов1, С.М. Подгорных1,2, М.В. Якунин1,2

1Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620990, Россия
E-mail: arapov@imp.uran.ru

2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, ул. Мира, 19, г. Екатеринбург, 620002, Россия

Статья поступила в редакцию 10 октября 2012 г.

Аннотация

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–9,0 Tл и температур T = 1,8–70 К. Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового времени жизни в диффузионном (kBTtr << 1) и баллистическом (kBTtr >> 1) режимах. Установлено, что в баллистическом режиме в интервале температур, где kBT/EF < 0,1, наблюдаемая квадратичная температурная зависимость квантового времени жизни определяется неупругим электрон-электронным рассеянием. Однако полученная зависимость во всем диапазоне температур существующими теориями количественно не описывается.

PACS: 73.21.Fg Квантовые ямы;
PACS: 73.40.–c Электронный транспорт в структурах с границами раздела;
PACS: 73.43.Qt Магнитосопротивление.

Ключевые слова: квантовое время жизни, квазидвумерный электронный газ, неупругое электронэлектронное рассеяние, диффузионный и баллистический режимы, резонансное туннелирование.