Low Temperature Physics: 39, 50 (2013); https://doi.org/10.1063/1.4775752 (8 pages)
Физика Низких Температур: Том 39, Выпуск 1 (Январь 2013), c. 66-75    ( к оглавлению , назад )

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла

Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, А.С. Клепикова, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин

Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
E-mail: neverov@imp.uran.ru

Статья поступила в редакцию 13 сентября 2012 г.

Аннотация

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ.

PACS: 73.21.Fg Квантовые ямы;
PACS: 73.40.–c Электронный транспорт в структурах с границами раздела;
PACS: 73.43.–f Квантовые эффекты Холла.

Ключевые слова: квантовый эффект Холла, гипотеза скейлинга, масштаб потенциала.