Low Temperature Physics: 39, 76 (2013); https://doi.org/10.1063/1.4775748 (8 pages)
Физика Низких Температур: Том 39, Выпуск 1 (Январь 2013), c. 98-108    ( к оглавлению , назад )

Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием

Е.П. Скипетров, А.Н. Голованов

Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова Ленинские горы, 1, г. Москва, 119992, Россия
E-mail: skip@mig.phys.msu.ru

Е.И. Слынько, В.Е. Слынько

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Вильде, 5, г. Черновцы, 58001, Украина

Статья поступила в редакцию 3 октября 2012 г.

Аннотация

Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные свойства в слабых магнитных полях (4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) и эффект Шубникова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb1–xySnxVyTe (x = 0, 0,05–0,18), синтезированных методом Бриджмена, при вариации концентрации примеси ванадия. Показано, что увеличение содержания ванадия приводит к появлению областей с повышенным содержанием ванадия и микроскопических включений соединений, близких по составу к V3Te4. В Pb1–yVyTe обнаружены стабилизация уровня Ферми глубоким уровнем ванадия, переход диэлектрик–металл и увеличение концентрации свободных электронов с ростом содержания ванадия. Сопоставляется кинетика изменения концентрации свободных носителей заряда при увеличении концентрации примеси ванадия в Pb1–yVyTe и сплавах Pb1–xySnxVyTe (x = 0,05–0,18). Обсуждаются возможные модели перестройки электронной структуры сплавов Pb1–xySnxVyTe при легировании.

PACS: 71.20.Nr Полупроводниковые соединения;
PACS: 71.55.–i Уровни дефектов и примесей;
PACS: 72.20.My Гальваномагнитные и другие магнитотранспортные эффекты;
PACS: 75.50.Рр Магнитные полупроводники.

Ключевые слова: полупроводники A4B6, примеси переходных металлов, гальваномагнитные эффекты, осцилляции Шубникова-де Гааза, глубокий уровень ванадия, переход диэлектрик-металл, электронная структура.