Low Temperature Physics: 41, 82 (2015); https://doi.org/10.1063/1.4908198
Физика Низких Температур: Том 41, Выпуск 2 (Февраль 2015), c. 109-118    ( к оглавлению , назад )

Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe

Д.А. Козлов1, З.Д. Квон1, М.Л. Савченко2, D. Weiss3, Н.Н. Михайлов1, С.А. Дворецкий1

1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, г. Новосибирск, 630090, Россия
E-mail: dimko@isp.nsc.ru

2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, 630090,Россия

3Experimental and Applied Physics, University of Regensburg, Regensburg D-93040, Germany

Статья поступила в редакцию 6 октября 2014 г.

Аннотация

Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4∙105 см2/В∙с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствиеналичия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель. Наблюдаемые особенности в классическом и квантовом транспорте позволили различить вклад в проводимость объемных дырок, объемных электронов, а также дираковских электронов на поверхностях пленки.

PACS: 73.25.+i Поверхностная проводимость и явления переноса;
PACS: 73.20.At Поверхностные состояния, зонная структура, электронная плотность состояний;
PACS: 73.43.–f Квантовые эффекты Холла.

Ключевые слова: трехмерный топологический изолятор, теллурид ртути, магнитотранспорт, квантовый эффект Холла.

Oпубликована онлайн: 22 декабря 2014 г.