Low Temperature Physics: 41, 90 (2015); https://doi.org/10.1063/1.4913583
Физика Низких Температур: Том 41, Выпуск 2 (Февраль 2015), c. 119-128    ( к оглавлению , назад )

Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

П.В. Петров, Ю.Л. Ивáнов, Н.С. Аверкиев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Политехническая ул., 26, г. Санкт-Петербург, 194021, Россия
E-mail: pavel.petrov@gmail.com

Статья поступила в редакцию 20 октября 2014 г.

Аннотация

Описаны результаты оптических исследований структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими положительно заряженные акцепторы (A+ центры). При помощи магнитооптических измеренийполучена информация о спиновой структуре и локализации в двумерной системе A+ центров. При помощи измерений температурных свойств фотолюминесценции исследована энергетическая структура примесной A+ зоны. На основании анализа совокупности экспериментальных результатов, полученныхразличными оптическими методами, а также сопоставления с транспортными измерениями, сформулирована единая физическая картина спиновых и зарядовых явлений в таких системах. Предложена новая методика для экспериментального исследования кулоновской щели, появляющейся при низких температурах в плотности локализованных состояний, основанная на измерении спектров фотовозбуждения и фотолюминесценции.

PACS: 73.21.Fg Квантовые ямы;
PACS: 71.23.–k Электронная структура неупорядоченных твердых тел;
PACS: 73.90.+f Другие темы в электронной структуре и электрических свойствах поверхностей, поверхностей раздела, тонких пленок и низкоразмерных структур.

Ключевые слова: квантовые ямы, положительно заряженные акцепторы, фотолюминесценция.

Oпубликована онлайн: 22 декабря 2014 г.