Физика Низких Температур: Том 41, Выпуск 2 (Февраль 2015), c. 153-164    ( к оглавлению , назад )

Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия

В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, О.В. Реукова

Физический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва, 119991, Россия
E-mail: kulb@mig.phys.msu.ru

Л.И. Бурова, А.Р. Кауль

Химический факультет, МГУ им. М.В. Ломоносова, г. Москва, 119991, Россия

А.Г. Ульяшин

SINTEF Materials and Chemistry, Box 124 Blindern, Oslo 0314, Norway

Статья поступила в редакцию 13 октября 2014 г.

Аннотация

Электрические и гальваномагнитные свойства нелегированных и легированных галлием, алюминием и кобальтом пленок оксида цинка и пленок оксида индия, легированного оловом, исследованы в широком диапазоне температур и магнитных полей. Показано, что механизм переноса электронов в пленках изменяется от зонного до прыжкового при уменьшении степени кристалличности пленок, обусловленной методом и условиями синтеза. Для пленок с зонным механизмом переноса электронов при низких температурах исследовано изменение размерности пленок по отношению к явлению слабой локализации, вызванное действием магнитного поля. Для пленок с прыжковым механизмом переноса электронов получены оценки радиуса локализации и плотности электронных состояний на уровне Ферми.

PACS: 73.61.–r Электрические свойства специфических тонких пленок;
PACS: 73.50.–h Электронный транспорт в тонких пленках;
PACS: 72.15.Rn Локализационные эффекты (андерсоновская или слабая локализация);
PACS: 73.50.Jt Гальваномагнитные и другие магнитотранспортные эффекты (в том числе термомагнитные эффекты).

Ключевые слова: слабая локализация, положительное магнитосопротивление, ZnO:Co, прыжковая проводимость, тонкие пленки ZnO, In2O3:Sn.

Oпубликована онлайн: 22 декабря 2014 г.