Low Temperature Physics: 41, 996 (2015); https://doi.org/10.1063/1.4938520
Физика Низких Температур: Том 41, Выпуск 12 (Декабрь 2015), c. 1276-1282    ( к оглавлению , назад )

Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии

Г.П. Микитик, Ю.В. Шарлай

Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
E-mail: mikitik@ilt.kharkov.ua,
sharlai@ilt.kharkov.ua

Статья поступила в редакцию 1 июня 2015 г.

Аннотация

Проведен анализ известных из литературы экспериментальных данных по температурной зависимости магнитной восприимчивости бериллия. Показано, что эта зависимость может быть объяснена, если учесть, что в бериллии вблизи уровня Ферми имеется точка электронного топологического перехода 3½ рода.

PACS: 71.30.+h Переходы металл–изолятор и другие электронные переходы;
PACS: 71.18.+y Поверхность Ферми; расчеты и измерения, эффективная масса, g-фактор.

Ключевые слова: электронный топологический переход, линии вырождения зон, магнитная восприимчи-вость, бериллий.

Oпубликована онлайн: 23 октября 2015 г.