Low Temperature Physics: 42, 580 (2016); https://doi.org/10.1063/1.4960008
Физика Низких Температур: Том 42, Выпуск 7 (Июль 2016), c. 738-742    ( к оглавлению , назад )

Специфика излучательной аннигиляции автолокализованных экситонов в кристалле KI–Tl при низкотемпературной деформации

К.Ш. Шункеев, Н.Н. Жантурина, З.К. Аймаганбетова, А.А. Бармина, Л.Н. Мясникова, Ш.Ж. Сагимбаева, Д.М. Сергеев

Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова пр. А. Молдагуловой, 34, Актобе, 030000, Казахстан
E-mail: nzhanturina@mail.ru

Статья поступила в редакцию 6 апреля 2016 г.

Аннотация

В кристалле KI–Tl по регистрации спектров рентгенолюминесценции установлено воздействие низкотемпературной одноосной деформации на длину свободного пробега экситона до автолокализации. Анализ соотношения интенсивностей свечения таллиевого (2,85 эВ) и автолокализованного экситонов (π-компонент; 3,3 эВ) в зависимости от степени низкотемпературной деформации показывает, что в кристалле KI–Tl (3·10–3 моль%) длина свободного пробега экситона до автолокализации соизмерима с межталлиевым расстоянием (20–27)a при деформации ε = 2%, а c ростом степени сжатия ε ≥ 2–5% уменьшается до (27–5,35)a. Результаты моделирования на основе континуального приближения показывают, что с ростом температуры и степени низкотемпературной деформации происходит уменьшение высоты потенциального барьера для автолокализации экситона, что согласуется с сокращением длины пробега свободного экситона в кристалле KI–Tl.

PACS: 62.40.+i Неупругость, внутреннее трение, релаксация напряжений и механические резонансы;
PACS: 71.35.–y Экситоны и связанные с ними явления;
PACS: 78.55.Fv Твердые щелочные галогениды.

Ключевые слова: KI–Tl, автолокализованный экситон, низкотемпературная деформация, рентгенолюминесценция, свободный пробег, потенциальный барьер.

Oпубликована онлайн: 25 мая 2016 г.