Low Temperature Physics: 42, 679 (2016); https://doi.org/10.1063/1.4961016
Физика Низких Температур: Том 42, Выпуск 8 (Август 2016), c. 863-869    ( к оглавлению , назад )

Об эквивалентности двух моделей вакансии в применении к электронному спектру материалов с сотовой решеткой

Ю.В. Скрипник1, В.М. Локтев2,3

1Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины бульвар Акад. Вернадского, 36, г. Киев, 03680, Украина
E-mail: yuriy.v.skrypnyk@gmail.com

2Институт теоретической физики им. М.М. Боголюбова НАН Украины ул. Метрологическая, 14-б, г. Киев, 03680, Украина

3Национальный технический университет Украины «КПИ», проспект Победы, 37, г. Киев, 03056, Украина
E-mail: vloktev@bitp.kiev.ua

Статья поступила в редакцию 1 мая 2016 г.

Аннотация

На основе метода сильной связи рассмотрена задача о функции Грина для содержащего вакансию материала с сотовой структурой кристаллической решетки. Проанализированы известные и сравнительно часто используемые модели для описания единичной вакансии и аналитически продемонстрирована их эквивалентность. Показано также, что вклады в плотность квазичастичных состояний от обеих подрешеток сотовой решетки совершенно одинаковы, за исключением нулевой энергии, независимо от того, в какой из подрешеток находится вакансия.

PACS: 73.22.Pr Электронная структура графена;
PACS: 71.23.–k Электронная структура неупорядоченных твердых тел.

Ключевые слова: графен, вакансия, электронная структура, плотность состояний.

Oпубликована онлайн: 24 июня 2016 г.