Low Temperature Physics: 43, 491 (2017); https://doi.org/10.1063/1.4983333
Физика Низких Температур: Том 43, Выпуск 4 (Апрель 2017), c. 612-617    ( к оглавлению , назад )

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs

А.П. Савельев1, С.В. Гудина1, Ю.Г. Арапов1, В.Н. Неверов1, С.М. Подгорных1,2, М.В. Якунин1,2

1Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УРО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
E-mail: saveliev@imp.uran.ru

2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина ул. Мира, 19, г. Екатеринбург, 620002, Россия

Статья поступила в редакцию 19 декабря 2016 г.

Аннотация

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B, T) и холловское ρxy(B, T) сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In0,2Ga0,8As/GaAs с одиночными и двойными сильно связанными квантовыми ямами с разной шириной барьера между ямами. Показано, что при ωcτ ≅ 1 существует критическое значение магнитного поля, вблизи которого выполняется скейлинговое соотношение ρxx ∝|BBC|T –κ, что свидетельствует о наблюдении фазового перехода из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла. Обнаружено, что значение критического индекса κ зависит от ширины барьера между двойными квантовыми ямами. Обсуждается природа такого поведения.

PACS: 73.21.Fg Квантовые ямы;
PACS: 73.40.–c Электронный транспорт в структурах с границами раздела;
PACS: 73.43.Qt Магнитосопротивление.

Ключевые слова: двойная квантовая яма, квантовый магнитотранспорт, переход изолятор–квантовая холловская жидкость.

Oпубликована онлайн: 24 февраля 2017 г.