Low Temperature Physics: 43, 495 (2017); https://doi.org/10.1063/1.4983334
Физика Низких Температур: Том 43, Выпуск 4 (Апрель 2017), c. 618-622    ( к оглавлению , назад )

Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле

А.С. Боголюбский1, С.В. Гудина1, В.Н. Неверов1, С.Г. Новокшонов1, М.В. Якунин1,2

1Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, ГСП-170, Россия
E-mail: neverov@imp.uran.ru

2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, ул. Мира, 19, г. Екатеринбург, 620002, Россия

Статья поступила в редакцию 17 января 2016 г.

Аннотация

Экспериментально обнаружена анизотропия магнитосопротивления в зависимости от направления тока в случае, когда магнитное поле лежит в плоскости двумерной системы и перпендикулярно направлению тока. Этот эффект связан с совместным действием силы Лоренца, которая приводит к смещению максимума электронной плотности из центра к разным стенкам квантовой ямы при противоположных направлениях тока, и различием вкладов рассеивателей в сопротивление с разных сторон квантовой ямы. Показано, что разность между сопротивлениями при разных направлениях тока является нечетным эффектом относительно направления магнитного поля и величина эффекта растет с увеличением тока. Обнаружены закономерности поведения разности между сопротивлениями при разных направлениях тока в зависимости от напряженности магнитного поля и величины тока. Показано, что по знаку эффекта можно сделать вывод о соотношении интенсивностей рассеяния со стороны подложки и со стороны поверхности.

PACS: 73.21.Fg Квантовые ямы;
PACS: 73.40.–c Электронный транспорт в интерфейсных структурах.

Ключевые слова: квантовая яма, двумерный электронный газ, рассеивающий потенциал.

Oпубликована онлайн: 24 февраля 2017 г.