Low Temperature Physics: 43, 515 (2017); https://doi.org/10.1063/1.4984077
Физика Низких Температур: Том 43, Выпуск 4 (Апрель 2017), c. 643-648    ( к оглавлению , назад )

Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка

Г.В. Лашкарев1, В.А. Карпина1, Л.И. Овсянникова1, В.В. Картузов1, Н.В. Дранчук1, М. Годлевский2, Р. Петрушка2, В.B. Хомяк3, Л.И. Петросян1

1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины ул. Кржижановского, 3, г. Киев, 03680, Украина
E-mail: geolash@ipms.kiev.ua

2Институт физики ПАН, ал. Лотников, 32/46, г. Варшава, Польша

3Черновицкий национальный университет, ул. Коцюбинского, 2, г. Черновцы, 58012, Украина

Статья поступила в редакцию 19 декабря 2016 г.

Аннотация

Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77–300 К, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1–7 ат.% алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения.

PACS: 64.60.My Метастабильные фазы;
PACS: 05.70.Ln Неравновесная и необратимая термодинамика;
PACS: 61.72.Bb Теории и моделей кристаллических дефектов;
PACS: 61.72.Mm Границы зерен и двойниковые границы.

Ключевые слова: оксид цинка, прозрачные проводящие оксиды, донорная примесь, легирование.

Oпубликована онлайн: 24 февраля 2017 г.