Физика Низких Температур: Том 43, Выпуск 7 (Июль 2017), c. 1094-1100    ( к оглавлению , назад )

Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла

В.Е. Шатерник1, А.П. Шаповалов1,2, А.Ю. Суворов1

1Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины пр. Академика Вернадского, 36, г. Киев, Украина
E-mail: shaternikvolod@gmail.com

2Институт сверхтвердых материалов им. В.Н. Бакуля НАН Украины ул. Автозаводская, 2, г. Киев, Украина

Статья поступила в редакцию 13 февраля 2017 г.

Аннотация

Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры MoRe–Si(W)–MoRe, состоящие из сверхпроводящих обкладок (сплав молибдена с рением) и гибридного полупроводникового туннельного барьера из наноразмерного слоя кремния с нанокластерами вольфрама. Вольт-амперные характеристики таких переходов были измерены в широком интервале напряжений от –900 до 900 мВ и при температурах 4,2–8 К под воздействием магнитного поля и СВЧ излучения. Авторы полагают, что полученные температурные зависимости сверхпроводящего критического тока и нормального сопротивления гетероструктуры указывают на возможность реализации в них режима кулоновской блокады, резонансного туннелирования и резонансно-перколяционного механизма транспорта в зависимости от содержания вольфрама в гибридном барьере и величины приложенного к образцам напряжения смещения. Измеренные характеристики позволяют предположить, что при превышении некоторого критического значения сверхтока в кластерах вольфрама возникают центры проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка.

PACS: 73.23.Hk Кулоновская блокада, одноэлектронное туннелирование;
PACS: 74.50.+r Туннельные явления; эффекты Джозефсона;
PACS: 74.81.–g Неоднородные сверхпроводники и сверхпроводящие системы, включая электронные неоднородности.

Ключевые слова: резонансное туннелирование, гибридные сверхпроводниковые гетероструктуры, резонансно-перколяционный транспорт, одномерный транспорт.

Oпубликована онлайн: 25 мая 2017 г.