Low Temperature Physics: 44, 1189 (2018); https://doi.org/10.1063/1.5060974
Физика Низких Температур: Том 44, Выпуск 11 (Ноябрь 2018), c. 1521-1527    ( к оглавлению , назад )

Berry phase in strained InSb whiskers

A. Druzhinin1,2, I. Ostrovskii1,2, Yu. Khoverko1,2, N. Liakh-Kaguy1, and K. Rogacki2

1Lviv Polytechnic National University, 12 S. Bandera Str., Lviv 79013, Ukraine
E-mail: druzh@polynet.lviv.ua

2Institute of Low Temperature and Structure Research PAS, 95 Gajowicka, Wroclaw, Poland

Received May 23, 2018, published online September 26, 2018

Анотація

Досліджено вплив деформації на поздовжній магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb з провідністю n-типу, легованих оловом в концентраціях 6·1016–6·1017 сm–3, при температурах від 4,2 до 50 К та магнітних полях до 10 Тл. При низьких температурах осциляції Шубнікова–де Гааза виявлено в деформованих й недеформованих зразках у всьому діапазоні концентрацій допування. Деякі піки поздовжнього магнітоопору розщеплюються в дублети в ниткоподібних кристалах InSb з концентрацією допанта, близькою до переходу метал–ізолятор. Беручи до уваги розщеплення піків, для деформованих та недеформованих зразків визначено гігантський g-фактор від 30 до 60. Період осциляцій магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb не змінюється в деформованому стані для всіх концентрацій допанта, але енергія Фермі зростає, а ефективна маса електрона mс зменшується і становить 0,02 m0. Присутність фази Беррі було також виявлено в деформованих нитко-подібних кристалах n-InSb, які демонстрували перехід в фазу топологічного ізолятора під дією деформації.

Ключові слова: InSb whiskers, longitudinal magnetoresistance oscillations, doping concentration, g-factor, Berry phase.