Физика Низких Температур: Том 45, Выпуск 1 (Январь 2019), c. 134-139    ( к оглавлению , назад )

Механизмы рассеяния поверхностных электронов в топологических изоляторах

Ю.В. Топоров

Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, ул. Владимирская, 60, г. Киев, 01033, Украина
E-mail: toporov94@gmail.com

А.А. Кордюк

Киевский академический университет, бульв. Вернадского, 36, г. Киев, 03142, Украина
Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины бульв. Вернадского, 36, г. Киев, 03142, Украина
E-mail: kordyuk@gmail.com

Статья поступила в редакцию 14 мая 2018 г., после переработки 3 августа 2018 г., опубликована онлайн 26 ноября 2018 г.

Анотація

Особливістю топологічних ізоляторів є наявність електронних топологічно захищених квазічастинкових поверхневих станів, винятково стійких до наявності домішок, однак структуру спектра розсіяння поверхневих квазічастинок вивчено слабко. Мета роботи — визначення структури власної енергії поверхневих станів з аналізу фотоемісійних спектрів. Зокрема, детально досліджено уширення цих станів в залежності від енергії зв’язку у Bi2Se3 та Bi2Te2Se — найбільш досліджених топологічних ізоляторах. Виявлена сходинкова структура уширення дозволила виділити внески пружного та непружного міжзонного розсіяння (поверхня–об’єм) до квазічастинкової власної енергії та показати, що воно порівнянне з пружним внутрішньозонним розсіянням.

Ключові слова: топологический изолятор, ARPES спектр, рассеяние электронов.