Физика Низких Температур: Том 45, Выпуск 1 (Январь 2019), c. 140-145    ( к оглавлению , назад )

Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях

В.М. Михеев

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, г. Екатеринбург, 620219, Россия
E-mail: mikheev@imp.uran.ru

Статья поступила в редакцию 15 июня 2018 г., после переработки 13 июля 2018 г., опубликована онлайн 26 ноября 2018 г.

Анотація

На прикладі гетероструктури AlxGa1–xAs/GaAs теоретично вивчено концентраційні залежності рухливості 2D-електронів при розсіянні на рівноважному корельованому розподілі домішкових іонів при фіксованих температурах. Показано, що у випадку значних кореляцій в розташуванні домішкових іонів наявність ефекту «інверсії електронної провідності» призводить до локальних максимумів електронної рухливості.

Ключові слова: дефекты, дислокации, физика прочности.