Физика Низких Температур: Том 45, Выпуск 2 (Февраль 2019), c. 171-178    ( к оглавлению , назад )

Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций

Н.А. Богословский, П.В. Петров, Н.С. Аверкиев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе ул. Политехническая, 26, г. Санкт-Петербург, 194021, Россия
E-mail: averkiev@les.ioffe.ru

Статья поступила в редакцию 11 октября 2018 г., опубликована онлайн 20 декабря 2018 г.

Анотація

Представлено результати чисельного моделювання спектрів донорно-акцепторної рекомбінації у компенсованих напівпровідниках з урахуванням електростатичних флуктуацій, які пов’язані з наявністю іонізованих домішок. Наявність кулонівських кореляцій в системі частково іонізованих домішкових центрів призводить до виникнення особливостей в спектрах рекомбінації, що залежать від енергетичної релаксації носіїв заряду. Розглянуто граничні випадки відсутності релаксації, часткової релаксації основних та неосновних носіїв заряду, а також повної релаксації системи електронів та дірок, які локалізовані на домішках. Інтерпретацію отриманих методом чисельного моделювання результатів проведено з використанням розробленої раніше аналітичної моделі, в якій окремо розглядаються внески в рекомбінацію рівноважних та фотозбуджених носіїв заряду. Показано, що при певних експериментальних умовах лінії випромінювання, які відповідні цим внескам, можуть спектрально розділятися.

Ключові слова: донорно-акцепторная рекомбинация, кулоновские корреляции, носители заряда.