Физика Низких Температур: Том 45, Выпуск 2 (Февраль 2019), c. 204-209    ( к оглавлению , назад )

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential

S.V. Gudina, A.S. Klepikova, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, and M.V. Yakunin

M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 18 S. Kovalevskaya Str., Ekaterinburg 620990, Russia
E-mail: klepikova@imp.uran.ru

Received October 3, 2018, published online December 20, 2018

Анотація

Проведено аналіз експериментальних значень критичного параметра квантових холлівських переходів κ типу «плато-плато» в селективно легованій гетероструктурі GaAs/AlGaAs. Виявилося, що ці значення в основному зосереджені в діапазоні κ = 0,5–0,7. Стверджується, що в рамках теоретичних уявлень про великомасштабний потенціал безладу це відповідає межі між процесами квантового тунелювання та класичним режимом перколяції. Так само величина критичної експоненти κ = 0,54 ±0,01 для ширини смуги делокалізованних станів, отримана для гетероструктури на основі HgTe з інвертованим спектром, може бути пов'язана з плавним характером домішкового потенціалу в дослідженій системі.

Ключові слова: квантовий ефект Холла, скейлiнг, квантові ями, напівпровідники, потенціал безладу.